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生理學——突觸后電位及其產生機制

【難度】★★

【考頻指數(shù)】★★★

考點點撥：突觸后電位及其產生機制

突觸后電位及其產生機制

1.興奮性突觸后電位（EPSP）：是指突觸后膜在某種神經遞質作用下產生的局部去極化電位變化。其產生機制是興奮性遞質作用于突觸后膜的相應受體，使遞質門控通道（化學門控通道）開放，后膜主要對Na+的通透性增大，發(fā)生凈內向電流，從而引起后膜的局部去極化。

2.抑制性突觸后電位（IPSP）：是指突觸后膜在某種神經遞質作用下產生的局部超極化電位變化。其產生機制是抑制性遞質作用于突觸后膜，使后膜上的遞質門控氯通道開放，引起外向電流，結果引起后膜的局部超極化。此外，IPSP的形成還可能與突觸后膜鉀通道的開放或鈉通道和鈣通道的關閉有關。

【例題·B1型題】

A.動作電位

B.閾電位

C.局部電位

D.靜息電位

E.后電位

1.終板電位是

2.興奮性突觸后電位是

【答案】C；C

【解析】終板電位是神經肌肉傳遞時在終板部位所看到的局部電位變化。

興奮性突觸后電位是指興奮性神經遞質作用于突觸后膜而產生的電位。神經沖動傳入神經末梢時，興奮性神經遞質與突觸后膜的受體結合，提高了膜對離子的通透性。這促使膜外的鈉離子迅速內流，造成膜內鈉離子急劇增加，膜內電位高于膜外，引起突觸后膜的去極化，膜電位降低。是突觸后膜產生興奮的表現(xiàn)。屬于局部電位。

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